师资队伍

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魏进

职称:研究员

研究所:微纳电子学研究院

研究领域:宽禁带半导体技术、半导体功率器件、功率电子学

办公电话:86-10-62759077

电子邮件:jin.wei@pku.edu.cn

个人主页:http://scholar.pku.edu.cn/jinwei

教育/科研经历

魏进博士2010年在中山大学获得学士学位,2013年在电子科技大学获得硕士学位,2017年在香港科技大学获得博士学位。魏进博士于2017年加入珠海英诺赛科公司,担任研发经理;2018年加入香港科技大学电子及计算机工程学系,担任博士后研究员;2019年,于香港科技大学电子及计算机工程学系,担任研究助理教授。

2020年,魏进博士加入捕鱼平台_星力捕鱼平台_正规捕鱼游戏平台_,担任研究员、助理教授、博士生导师。

主要研究领域

当今社会迎来了新一轮的电气化浪潮,电动汽车、机器人、无人机、智能家居、智能电网等技术的发展,有望在未来深刻改变人类社会的形态。这些新型电子电气设备的出现对电源管理系统提出了苛刻的要求。半导体功率器件是电子电气设备中对电能进行管理与控制的核心元器件,功率器件的性能直接决定了电源管理、电机控制、电力传输等系统的能力。本题目致力于研发高性能功率电子技术。

(1)宽禁带半导体器件,如氮化镓(GaN)、氮化镓(SiC)、氧化镓(Ga2O3)等。

(2)新型硅基功率器件,如IGBT、超结MOSFET(SJ-MOSFET)等。

(3)半导体理论:半导体器件物理、器件建模、计算机仿真、器件可靠性等工作。

(4)功率电子电路,如功率转换电路、驱动电路、保护电路、测试电路等。

(5)宽禁带半导体集成电路技术:推动宽禁带半导体集成电路的的发展与产业化。

本课题组长期招收博士后研究员、硕士/博士研究生、本科生;欢迎感兴趣的同学进行申请。请联系:jin.wei@pku.edu.cn

代表性学术论著 (注:标记*为通讯作者)

[1]    Z. Zheng, W. Song, L. Zhang, S. Yang, J. Wei*, and K. J. Chen*, “High ION and ION/IOFF ratio enhancement-mode buried p-channel GaN MOSFETs on p-GaN gate power HEMT platform,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 1, Jan. 2020, doi: 10.1109/LED.2019.2954035.

[2]    J. Wei, R. Xie, H. Xu, H. Wang, Y. Wang, M. Hua, K. Zhong, G. Tang, J. He, M. Zhang, and K. J. Chen*, “Charge storage mechanism of drain induced dynamic threshold voltage shift in p-GaN gate HEMTs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 4, pp. 526-529, Apr. 2019, doi: 10.1109/LED.2019.2900154.

[3]    J. Wei, S. Liu, B. Li, X. Tang, Y. Lu, C. Liu, M. Hua, Z. Zhang, G. Tang, and K. J. Chen*, “Low on-resistance normally-off GaN double-channel metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistor,” IEEE Electron Device Lett., vol. 36, no. 12, pp. 1287-1290, Dec. 2015, doi: 10.1109/LED.2015.2489228.

[4]    J. Wei, S. Liu, B. Li, X. Tang, Y. Lu, C. Liu, M. Hua, Z. Zhang, G. Tang, and K. J. Chen*, “Enhancement-mode GaN double-channel MOS-HEMT with low on-resistance and robust gate recess,” in IEDM Tech. Dig., Washington, DC, USA, Dec. 2015, pp. 225-228, doi: 10.1109/IEDM.2015.7409662

[5]    J. Wei, J. Lei, X. Tang, B. Li, S. Liu, and K. J. Chen*, “Channel-to-channel coupling in normally-off GaN double-channel MOS-HEMT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 1, pp. 59-62, Jan. 2018, doi: 10.1109/LED.2017.2771354.

[6]    J. Wei, H. Jiang, Q. Jiang, and K. J. Chen*, “Proposal of a GaN/SiC hybrid field-effect transistor for power switching applications,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 63, no. 6, pp. 2469-3473, Jun. 2016, doi: 10.1109/TED.2016.2557811.

[7]    J. Wei, M. Zhang, H. Jiang, B. Li, and K. J. Chen*, “Gate structure design of SiC trench IGBTs for injection-enhancement effect,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 7, pp. 3034-3039, Jul. 2019, doi: 10.1109/TED.2019.2914298.

[8]    J. Wei, M. Zhang, H. Jiang, H. Wang, and K. J. Chen*, “Dynamic degradation in SiC trench MOSFET with a floating p-shield revealed with numerical simulations,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 6, pp. 2592-2598, Jun. 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2697763.

[9]    J. Wei, M. Zhang, H. Jiang, C. Cheng, and K. J. Chen*, “Low ON-resistance SiC trench/planar MOSFET with reduced OFF-state oxide field and low gate charges,” IEEE Electron Device Lett., vol. 37, no. 11, pp. 1458-1461, Nov. 2016, doi: 10.1109/LED.2016.2609599.

[10]  J. Wei, M. Zhang, H. Jiang, X. Zhou, B. Li, and K. J. Chen*, “Superjunction MOSFET with suppressed minority carrier injection during reverse conduction by dual built-in Schottky diodes,” IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 7, pp. 1155-1158, 2019, doi: 10.1109/LED.2019.2917556.